收藏本站
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
33 4134 38 39 4036
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
57
55
53
37
58
56
50
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
54
59
61
35
32
31
60
52
51
30
Ideal
Actual
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
f = 2140 MHz
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
f = 2140 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
231
53.6
276
54.4
2140
230
53.6
279
54.5
2170
229
53.6
277
54.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2110
P1dB
2.14 -- j5.14
0.77 -- j1.44
2140
P1dB
3.28 -- j6.37
0.75 -- j1.52
2170
P1dB
5.59 -- j7.20
0.67 -- j1.41
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF8S23120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3 FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3 FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5 MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
相关代理商/技术参数
MRF8S23120H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8S23120HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S23120HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S23120HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S23120HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S26060HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S26060HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S26060HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray